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新墨西哥州，它在那里擁有一個用于 Foveros/EMIB 的先進封裝中心 (Fab 9)，同時在俄亥俄州和亞利桑那州也建設(shè)了新的晶圓廠（確保未來為其代工客戶提供現(xiàn)場封裝）。英特爾正在大力推廣其封裝實力，甚至有報道稱，英偉達和AMD也已與英特爾合作進行測試，以備不時之需。三星也加入了先進封裝競賽，以補充其代工業(yè)務(wù)。三星的I-Cube（Interposer Cube）2.5D 技術(shù)和X-Cube 3D 堆疊旨在為高性能應(yīng)用集成邏輯和內(nèi)存。三星正計劃在中國（蘇州）增加新產(chǎn)能，以增強其內(nèi)存產(chǎn)品的封裝。展望未來，三星正在為 2025 年的 HBM4 做準備，并計劃為下一代內(nèi)存堆棧提供3D 封裝服務(wù)。

傳統(tǒng)的外包封裝和測試供應(yīng)商 ( OSAT ) 正在大力擴張以保持競爭力。全球最大的 OSAT日月光科技控股已通過其硅品精密工業(yè) (SPIL) 部門投資高端封裝，該部門實際上有資格與臺積電合作進行 CoWoS 封裝。與此同時，第二大 OSAT安靠科技于 2023 年底在越南開設(shè)了一家新的尖端封裝工廠，引起轟動。安靠越南工廠預(yù)計將進行高密度硅中介層組裝和測試——其他值得注意的 OSAT 舉措包括提供 2.5D 集成服務(wù)的長電科技（中國最大的 OSAT）和日月光的子公司硅品工業(yè)（SPIL）達成封裝某些定制 AI 芯片的交易（例如，博通 TPU 訂單的一部分）。

甚至專注于內(nèi)存的公司也在投資封裝以確保 HBM 供應(yīng)。領(lǐng)先的 HBM 供應(yīng)商SK Hynix宣布在先進封裝研發(fā)和產(chǎn)能方面投資 10 億美元，稱其為未來 50 年的“未來重點” 。SK Hynix 還正在美國（印第安納州）建造一座大型 HBM 組裝廠，計劃于 2028 年開始生產(chǎn)。美光公司于 2025 年在新加坡破土動工，投資 70 億美元建造 HBM 封裝廠，目標是到 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。這些項目得到政府激勵措施（例如美國《芯片法案》）的支持，將創(chuàng)造新的區(qū)域內(nèi)存芯片堆疊產(chǎn)能，并可能將其與邏輯電路集成。到 2020 年代后期，我們應(yīng)該會看到一個不再以臺灣為中心的封裝網(wǎng)絡(luò)，東南亞、美國甚至歐洲都擁有大量高端產(chǎn)能（英特爾還宣布將在波蘭建立一家新的封裝/測試工廠。

交貨時間和供應(yīng)限制：新的瓶頸

越來越明顯的是，先進封裝已成為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)上，前端晶圓廠的產(chǎn)能是制約因素，而如今，即使芯片制造完成，也可能需要排隊數(shù)周甚至數(shù)月才能完成封裝。